Room-Temperature Manipulation of Magnetization Angle, Achieved with an All-Solid-State Redox Device
An all-solid-state redox device, composed of magnetite (Fe3O4) thin film and Li+ conducting electrolyte thin film, was fabricated for the manipulation of a magnetization angle at room temperature (RT). This is a key technology for the creation of efficient spintronics devices, but has not yet been achieved at RT by other carrier doping methods.
リチウムイオンが挿入されることでFe3O4の磁気異方性 が変化する特性を利用したスピントロニクス素子。固体電解質を使った素子構造=全固体酸化・還元トランジスタ で書き込み電流も小さく低消費電力化が期待できそう。完全な可逆特性得られていないようですが将来的には構造も簡単になること推測されるので使えるようになれば面白そうな技術です。
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