デバイスメーカーの発表であるのは○○nm世代とか○○nmルールとかいう言葉。これはトランジスタのゲート長のことをさすのだと思っていたのだがそれは10年前までの話。現在はゲートは動作速度を速くし、消費電力を下げるために設計ルールよりも微細化されている。ということで次の世代は今の世代の0.7倍というルールのみが残っている。130nm, 90nm, 70nmといった具合。現在は90nmガ主役。で今の設計ルールはデバイスの種類によって異なっているLSIやDRAMでは最下層配線M1の配線のハーフピッチ、NANDフラッシュではワード線のハーフピッチになっている。よく出てくるITRS（国際半導体技術ロードマップ）ではテクノロジーノードという最も進んだデバイスでの回線幅での呼び方をやめてそれぞれのデバイスについてルールを提示することにしたようだ。
ITRSの予測ではハーフピッチは3年で0.7倍、先行2メーカーの生産量が1万個を越えた年を生産開始年としている。寸法が0.7倍になることは同じ面積に2倍のトランジスタが載せれる事になる。一般的にはメモリ系（DRAM、フラッシュ）が微細化は先行、それはメモリの方が回線が規則的でリソグラフィ技術を最適化しやすいため。最近ではバラバラになってきたマスクの設計ルールを外注工場のために共通化する動きもあるとか。
花粉の直径約30μm 赤血球、白血球の大きさが2-5μm、DNAの幅は2nm.
いくらなんでもシリコンの直径よりは小さいデバイスはシリコンを使う限りは無理でしょうからどこかでまったく新しいシステムが採用される日が来るでしょう。
*最近読んだ本*
セレブの現代史
過去から現在までセレブと呼ばれる人間について分析しているが論文調で若干読みにくいかも。
＊今日の練習＊
朝 RUN jog 65分
BIKE ローラー60分
夕 SWIM main 100×5本 3セット Fr IM Fr
＊今日の英語＊
“天下り” golden parachuting
